Рентгеновский дифрактометр

Полное наименование установки: Рентгеновский дифрактометр Panalytical X’Pert Pro MRD Extended.

Описание оборудования/установки:
Дифрактометр предназначен для структурных исследований монокристаллов, эпитаксиальных слоев и сверхрешеток на медном излучении (l=1.540598 Å). Он оснащен тремя первичными монохроматорами (параболическое рентгеновское зеркало с расходимостью 150’’, гибридный монохроматор, представляющий собой комбинацию рентгеновского зеркала и двухкристального щелевого монохроматора 2´Ge(220) с расходимостью 25’’, а также четырехкристального монохроматора 4´Ge(220) с расходимостью 12’’), позволяющими исследовать образцы от блочных монокристаллов вплоть до самых совершенных эпитаксиальных структур. Третий кристалл-анализатор, установленный перед одним из двух детекторов, позволяет получать фрагменты двумерных плоскостей в обратном пространстве вблизи выбранных узлов обратной решетки для разделения вкладов в уширение узлов от разориентации и от изменения в межплоскостном расстоянии. Высокое разрешение осей w и 2q (0.0001°) позволяет прописывать не только дифракционные кривые, но и рефлектометрические кривые. Запись последних основана на том, что показатель преломления рентгеновских лучей в твердых телах меньше, чем в вакууме на несколько единиц в шестом десятичном знаке. Поэтому выше критического угла qс полного внешнего отражения (~0.2÷0.4°) излучение частично проникает вглубь образца с образованием интерференционных минимумов и максимумов, по которым можно определить толщину эпитаксиального слоя и размытость границы раздела. Гониометрическая головка позволяет вращать образец на угол f=360° вокруг горизонтальной оси и отклонять плоскость образца от вертикального положения на угол y вплоть до 90°, что позволяет получать в скользящей дифракции отражения от плоскостей, величина угла дифракции которых меньше угла наклона плоскости к исследуемой поверхности.

Характеристики:

Рабочие параметры40 кВ´40mА
Угловое разрешение по осям w и 2q0.0001°
Угловое разрешение по осям f и y0.01°
Шаг смещения по осям Х и У0.01 мм
Шаг смещения по оси Z0.001 мм
Диаметр исследуемой пластиныдо 100 мм
Расстояние образец – детектор320 мм
Максимальные значения углов по шкале w105°
Максимальные значения углов по шкале 2q165°
Максимальная интенсивность рентгеновского зеркала5 млрд. имп/сек
Максимальная интенсивность гибридного монохроматора400 млн. имп/сек
Максимальная интенсивность четырехкристального монохроматора26 млн. имп/сек

Возможность построения двумерных картин в прямом и обратном пространствах в автоматическом режиме путем интегрирования набора кривых качания в двумерную картину в программе Epitaxy.

Основные направления исследований, проводимых с использованием установки:

  1. Уточнение ориентации, параметров решетки и структурного совершенства исследуемого кристалла в зависимости от условий его получения. В низко симметричных кристаллах выявление присутствия двойников или прослоек второй фазы.
  2. В эпитаксиальных слоях определение ориентационного соотношения с подложкой, состава, толщины, структурного совершенства и степени релаксации напряжений несоответствия.
  3. В многослойных структурах помимо периода и среднего состава сверхрешетки определение также соотношение толщин квантовой ямы и барьера, а также возможного размытие границ раздела в верхних и нижних парах. В сильно напряженных структурах выявление перехода от стадии сплошного роста к стадии образования квантовых точек.

Ответственное лицо: Мартовицкий Виктор Петрович 8(916)846-10-87 / 8(495)851-00-94; victormart@yandex.ru