Криомагнитная система на 16 ТеслаНаходится в стадии отладки.Предназначена для измерения проводимости на постоянном и переменном токе (0.01 Гц — 10 кГц) в диапазоне температур 0.3-300 К, полей до 16 Т. Диаметр отверстия соленоида – 40,5мм. For transport measurements (DC- and Read More …
Рубрика: Оборудование
Криомагнитная система для исследований в магнитных полях до 21 Тесла
Рабочий температурный диапазон: 0,3 — 300 К. Варианты вставок Вставка#1 с откачкой 4He Вставка #2 с откачкой 3He Вставка #3* с вращением образцов Вставка #4* – вибрационный магнетометр Диапазон температур 1.4 — 300К 0.3 — 300К 0.3 — 300К 1.4 Read More …
Микроскоп-тринокулярный ICM-100BD
Назначение:Для прецизионного совмещения микрообъектов.
Установка для ультразвуковой микросварки L-D-C
Полное название установки:Установка для ультразвуковой микросварки Kulicke&Soffa 4523. Назначение:Приварка проволочных выводов Au, Al диаметром 1 — 75мкм
Установка для изготовления контактных масок для напыления методом электроискровой резки
Сканирующий туннельный микроскоп Solver-Pro NT-MDT
Описание:СЗМ СОЛВЕР P47-PRO — это универсальный прибор для комплексных исследований различных объектов с высоким разрешением на воздухе, в жидкостях и контролируемой газовой атмосфере, при температуре до 150 С. Характеристики Размер образца 40х40х10мм Сканеры 3х3х1 мкм (±10%)10х10х2 мкм (±10%)50х50х3 мкм (±10%) Read More …
Установка Helios NanoLab 660
Полное наименование установки:Нанолитограф FEI Helios NanoLab 660. Назначение:Микроскоп электронно-ионный растровый Helios NanoLab 660 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком. Характеристики Вакуумная откачка общая Безмасляная, ТМН Read More …
Кластерная установка плазмохимического травления и осаждения
Назначение:Установка предназначена для удаления остатков фоторезиста, активации поверхности, также позволяет осуществлять процессы сухого травления некоторых веществ, например графена и нанотрубок.
Установка плазмохимической очистки
Назначение:Для очистки и обработки поверхности наноструктур в кислородной плазме низкой плотности. Назначение:Для очистки и обработки поверхности наноструктур в кислородной плазме низкой плотности. Назначение:Для очистки и обработки поверхности наноструктур в кислородной плазме низкой плотности.
Безмасковая оптическая (УФ) литография
Полное название установки:Установка для лазерной литографии mPG101.