Полное наименование установки:
Нанолитограф FEI Helios NanoLab 660.
Назначение:
Микроскоп электронно-ионный растровый Helios NanoLab 660 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.
| Характеристики | |
|---|---|
| Вакуумная откачка общая | Безмасляная, ТМН |
| Откачка электронной колонны | Два ионно-геттерных насоса |
| Откачка ионной колонны | Один ионно-геттерный насос |
| Уровень высокого вакуума в камере | 6×10-4 Па |
| Источник электронной колонны | катод Шоттки |
| Диапазон ускоряющих напряжений | 200 — 30000 В |
| Разрешение в режиме высокого вакуума при ускоряющем напряжении 30 кВ во вторичных электронах | 1.2нм |
| Разрешение в режиме высокого вакуума при ускоряющем напряжении 30 кВ в обратно-отраженных электронах | 2.5нм |
| Источник ионов | Ga, жидкометаллический |
| Ускоряющее напряжение | 500 — 30000 В |
| Локальное осаждение | Pt, W, Cr, SiO2, C |
Основные направления исследований, проводимых с использованием установки:
Изучение трехмерной структуры образца методом послойного травления, модификация образца и формирование микрострукрур на поверхности образца фокусирвоанным ионным пучком.
Ответственное лицо:
Массалимов Бурхан Исмаилович +7(499) 132-67-07; burkhan@lebedev.ru