Назначение:
СТМ предназначен для измерения геометрического/потенциального рельефа поверхности материалов и локальных ВАХ в условиях сверхвысокого вакуума, сверхнизких температур и высоких магнитных полей.
СТМ обеспечивает (а) загрузку образцов через шлюзовую камеру с вакуумной откачкой, (б) подготовку образца в высоковакуумной препарационной камере, (в) хранение образцов и иглодержателей в высоковакуумной обменной камере, (г) в сверхвысоковакуумной низкотемпературной измерительной камере измерение туннельных спектров при сканировании по площади, (д) роботизированную передачу образцов между модулями не вынося их из вакуумной среды; (е) передачу образца в сверхвысоком вакууме между UHV установками.
Характеристики:
- Шлюзовая камера: вакуум 10-7Тор. Откачка спиральным и ТМН насосами. Оснащение: хранилище для 4х держателей образцов и 4х держателей зондов;
- Препарационная камера: базовый вакуум 2*10-10-10-11Тор. Оснащение: магнитный манипулятор для переноса держателей образцов и зондов в камеру и из неё; отжиг образцов до 1300°C постоянным током и до 1500°C электронным лучом; Ar-пушка; RGA на диапазон 1 — 100 а.е.м.; оптический микроскоп со сверхдлиннофокусным объективом; стыковочный узел для переноса образцов в UHV на другие установки;
- Обменная камера: базовый вакуум 1*10-10 — 10-11Тор. Оснащение: хранилище для 4х держателей образцов и 4х держателей зондов; магнитный манипулятор для установки держателей в сканирующую головку; криостолик и инструмент для холодного скола и отслаивания при T < 20 К;
- Камера для проведения исследований: Оснащение: криостат со сверхпроводящим магнитом с полем до 15Т и со сверхпроводящим ключом; камера с откачкой 3He с базовой T=0.4 — 100 К;
- Сканирующая головка: Область сканирования 1*1мкм (при 0.4К); диапазон перемещений по оси Z ± 60нм (при 0.4К), разрешение 0.02 нм;
- СТМ-контроллер: Nanonis, 8 каналов/ 18бит/ 100кГц.
Основные направления исследований, проводимых с использованием установки:
Исследование потенциального рельефа поверхности материалов; измерение локальных характеристик сверхпроводников и др. квантовых материалов, изучение сверхпроводимости на наномасштабах; исследование структуры вихрей потока; исследование локальной сверхпроводимости вблизи границы между материалами, исследование динамики фазовых и структурных переходов на поверхности.
Дополнительная информация:
Пример измерения квазичастичной интерференции электронных волн на поверхности кристалла LiFeAs из работы Shun Chi et.al, arxiv/cond-mat: 1710.09089
Ответственное лицо:
Пудалов Владимир Моисеевич +7(499)126780; pudalov@lebedev.ru