Порошковый дифрактометр Rigaku MiniFlex 600 с опцией съемки в инертной атмосфере
Настольный рентгеновский дифрактометр MiniFlex 600 – это многоцелевой аналитический прибор для исследования методом порошковой дифракции, позволяющий определять: идентификацию фаз и количественное определение кристаллической фазы (ID фазы), процент (%) кристалличности, размер и напряжение кристаллитов, уточнение параметров решетки, уточнение по методу Ритвельда, а также молекулярную структуру. Он широко используется в научных исследованиях, особенно в материаловедении и химии, а также в промышленности для исследований и контроля качества.
| Источник рентгеновского излучения | Co (λ Kα = 1.79021 Å) |
| Выходное напряжение трубки | 20 – 40 кВ (с шагом в 1 кВ) |
| Выходной ток трубки | 2 – 15 мА (с шагом в 1 мА) |
| Метод генерации высокого напряжения | Высокочастотный метод Кокрофта-Уолтона |
| Стабильность | В пределах ± 0,05 % для напряжения трубки и тока трубки, с учетом колебания входной мощности ±10 % |
| Применимая рентгеновская трубка | Toshiba A-21, A-41, PANalytical PW22XX и т.д. |
| Механизм регулирования фокусировки и положения | ±1 мм, плавно регулируемый за счет использования пружинной пластины |
| Рентгеновская диафрагма | Механическая вращающаяся диафрагма |
| Фильтр Kβ излучения | Никелевый фильтр для медной трубки, стандартная толщина 0,015 мм, Железный фильтр для кобальтовой трубки. |
| Угол выхода рентгеновских лучей | 6°, фиксированный |
| Гониометр | Вертикальный θ/2θ |
| Радиус гониометра | 150 мм |
| Ось сканирования | θ/2θ связанная |
| Диапазон сканирования 2θ | От −3° до +145° |
| Диапазон измерения 2θ | От +2° до +145° |
| Угол минимального шага оси θ/2θ | 0,005° (2θ) |
| Скорость позиционирования | 500° / мин (2θ) |
| Скорость сканирования | 0,01 – 100 ° / мин |
| Исходный угол | 2θ = 10° |
| Щель расходимости | 1,25° |
| Ширина пучка | 10 мм |
| Щели Соллера на падающем пучке | 2,5° |
| Рассеивающая щель | 1,25° |
| Щели Соллера на дифрагированном пучке | 2,5° |
| Приемная щель | 0,3 мм |
| Монохроматор на дифрагированном пучке | Графитовый |
| Детектор | Сцинтилляционный счётчик |
| Эффективный диаметр окна | 23 мм |
| Работа с чувствительными образцами | Герметичный держатель |
Монокристальный дифрактометр Tongda TD-5000 с двумерным детектором с приставкой термостатирования образца 100-300К
Рентгеновский монокристальный дифрактометр Tongda TD-5000 – это стационарный прибор неразрушающего контроля. TD-5000 является высокопроизводительным дифрактометром, предназначенным для решения различных задач структурной кристаллографии. TD-5000 предназначен для определения кристаллических и молекулярных структур неорганических, органических и металлоорганических соединений при различных температурах с последующим построением детального распределения электронной плотности. TD-5000 оснащён высокоточным 4-х кружным каппа гониометром, двумерным детектором и мощным микрофокусным источником рентгеновского излучения
| Микрофокусный источник рентгеновского излучения | |
| Материал анода | Молибден (λ Kα = 0.71069 Å) |
| Мощность | 50 Вт |
| Размер фокусного пятна | 91×139 мкм2 |
| Расходимость пучка | 6 мрад |
| Монохроматор для разделения дуплета Кα1/ Кα2 | Наличие |
| Рентгеновская оптика для повышения интенсивности излучения | Наличие |
| Рабочее напряжение генератора источника рентгеновского излучения | 10 – 60 кВ |
| Рабочая сила тока генератора источника рентгеновского излучения | 10-864 мкА |
| Отклонение мощности излучения источника рентгеновского излучения в течение 8 часов после 30 минут прогрева | 0,06 % |
| Двумерный гибридный пиксельный детектор | |
| Размер сенсора детектора | 83.8×67 мм |
| Размер пикселя детектора | 172×172 мкм |
| Количество пикселей матрицы детектора | 487×407 |
| Общее количество пикселей матрицы детектора | 198209 |
| Максимальная частота считывания детектора | 20 Гц |
| Время считывания детектора | 7 мс |
| Диапазон считываемых детектором энергий | 3,5-18 кэВ |
| Вертикальный четырехкружный каппа-гониометр | |
| Минимальный шаг позиционирования и сканирования по осям гониометра | 0,0001° |
| Режим сканирования | Пошаговый, непрерывный, сегментный, на просвет |
| Количество плоскостей вращения образца | 3 |
| Количество плоскостей поворота детектора | 1 |
| Расстояние от образца до детектора | 35 – 145 мм |
| Гониометрическая головка | С регулировкой положения образца по осям X, Y, Z |
| Разрешение по оси Хи | 0,005° |
| Значение угла Фи | От -360° до +360° |
| Разрешение по оси Фи | 0,005° |
| Значение угла Омега относительно Тета | От -90°до +90° |
| Разрешение по оси Омега | 0,00125° |
| Значение угла Тета | От -65° до +105° |
| Разрешение по оси Тета | 0,00125° |
| Значение угла Каппа | От -72° до +72° |
| Разрешение по оси Каппа | 0,0025° |
| Диаметр сферы несовпадения осей | 7 мкм |
| Система термостатирования образца | |
| Температура термостатирования | 100 – 300 К |
| Точность термостатирования | 0,3 К |
Растровый электронный микроскоп JEOL JSM-7001F
JEOL JSM-7001F представляет собой автоэмиссионный растровый электронный микроскоп, который благодаря использованию в нем электронной пушки с полевой эмиссией (катодом Шотки), передовой технологии формирования изображения и компьютерной технологии дает не только возможность наблюдения тонкой структуры поверхности образца с высоким разрешением (3нм), но и выполнения различных анализов: локальный анализ элементного состава (1мкм2) методом энергодисперсионной спектрометрии (EDS), катодолюминесцентный анализ (CL) и анализ ориентации кристаллитов методом дифракции отраженных электронов (EBSD).
| Разрешение во вторичных электронах: | 1,2 нм (при ускоряющем напряжении 30 кВ); 3,0 нм (при ускоряющем напряжении 1 кВ). |
| Пространственное разрешение при элементном картировании: | 3,0 нм (при ускоряющем напряжении 15 кВ, рабочем расстоянии 10 мм, токе зонда 5 нА). |
| Увеличение в режиме SEM: | От х10 до х1 000 000. |
| Коррекция увеличения: | автоматическая коррекция в соответствии с ускоряющим напряжением и рабочим расстоянием. |
| Режимы изображения: | – изображение во вторичных электронах; – изображение в отражённых электронах в режиме контраста по атомному номеру; – изображение в отражённых электронах в режиме топографического контраста. |
| Ускоряющее напряжение: | – от 0,5 до 30 кВ (обычный режим); – от 0,5 до 2,9 кВ шаг в 10 В; – от 2,9 до 30 кВ шаг в 100 В; – от 0,2 до 30 кВ (низковольтный режим). |
| Ток зонда: | от 1хl0–12 до 2хl0–7 A |
| Тип предметного столика: | полностью эвцентричный столик с угломерным прибором и коррекцией обратного хода. |
| Диапазоны перемещения столика | |
| Ось X: | 70 мм |
| Ось Y: | 50 мм |
| Ось Z: | от 3 до 41 мм (непрерывное) |
| Наклон T: | от –5° до +70° |
| Вращение R: | 360°, непрерывное |
| Стандартные держатели образцов: | для образцов диаметром 12,5 мм х 10 мм в толщину; для образцов диаметром 32 мм х 20 мм в толщину. |
| Камера для образцов: | 10–4 Па (стандартный режим); предусмотрена возможность работы в высоковакуумном режиме с использованием холодной шины с питанием жидким азотом и в низковакуумном режиме. |
| Элементный анализ | Энергодисперсионный спектрометр Inca X-Act |
| Детектор элементного анализа: | аналитический твердотельный дрейфовый детектор (SDD) |
| Охлаждение: | элемент Пельтье |
| Функции: | – автоматическое определение пиков; – четыре режима набора спектров; – количественный анализ; – построение карт распределения элементов по плоскости (SmartMap) |
| Определяемые элементы: | от бериллия (4Be) до плутония (94Pu) |
| Гарантированное разрешение: | 60 эВ на C Kα и 130 эВ на Mn Kα |
| Стабильность позиции пика: | Стабильность позиции пика: менее 1 эВ на Mn Kα |
| Стабильность разрешения: | менее 1 эВ на Mn Kα при 1 000-100 000 имп/с |
| Чувствительность к концентрации: | менее 0,1% |
| Диапазон измерений массовой доли элементов, %: | от 0,1 до 100 |
| Активная площадь детектора, мм2: | 10 |
| Определение ориентации кристаллитов | Метод дифракции отраженных электронов (EBSD) HKLNordlys |
CRYOGENIC CFMS 16
The CFMS-16 setup is designed for measuring transport, magnetic, and thermal properties of materials and nanostructures in a magnetic field range of up to 16 Tesla and temperatures down to 1.5 K.
| VTI shaft diameter | 30 mm |
| DC resistance measurements voltage range | from 10 nV to 100 V |
| AC resistance measurements voltage range | from 10 nV to 1 V |
| AC resistance measurements frequency | from 1 MHz to 100 kHz |
| Heat capacity measurements, sensitivity | 1 nJ/K at 10 K |
| Heat capacity measurements, sample | mass 1 µg – 200 µg, size 100 µm x 100 µm x 100 µm |
| Magnetic susceptibility measurements, sensitivity (at 1 kHz) | 10-5 emu/Gauss |
CRYOGENIC CFMS 5
The CFMS-5 setup is designed for measuring transport, magnetic, and thermal properties of materials and nanostructures in a magnetic field range of up to 5 Tesla and temperatures down to 1.5 K.
| VTI shaft diameter | 30 mm |
| DC resistance measurements voltage range | from 10 nV to 100 V |
| AC resistance measurements voltage range | from 10 nV to 1 V |
| AC resistance measurements frequency | from 1 MHz to 100 kHz |
| Heat capacity measurements, sensitivity | 1 nJ/K at 10 K |
| Heat capacity measurements, sample | mass 1 µg – 200 µg, size 100 µm x 100 µm x 100 µm |
| Magnetic susceptibility measurements, sensitivity (at 1 kHz) | 10-5 emu/Gauss |
21T cryomagnetic system
The system consists of high-field superconducting magnet mounted on a dedicated support assembly in a purpose made cryostat. The magnet is designed to produce a central field 21 Tesla when operated in conjunction with a lambda cooling loop fitted to the support assembly. The magnet is equipped with a superconducting switch, allowing it to operate in persistent field mode. The magnet support assembly is also designed to accommodate a He3 variable temperature insert (VTI) and a He4 insert. He3 VTI allows cooling down to 0.3 K by pumping helium-3 vapor. Samples can be placed on two types of holders: a fixed holder and a rotating platform. The system is also equipped with a module for vibrating sample magnetometry (VSM) and AC magnetic susceptibility measurements, enabling operation in the temperature range of 1.6-300K.
| Magnet | |
| Design operating field at 4K | 20 Tesla |
| Maximum operating field at 4K | 20.3 Tesla |
| Design operating field at 2K | 21.0 Tesla |
| Central field constant | 1632.01 Gauss/Amp |
| Central homogeneity (10mm DSV) | 102 |
| Current for 20.0 Tesla | 122.54 Amps |
| Current for 21.0 Tesla | 128.67 Amps |
| Inductance | 257.0 H |
| Clear bore | 40.0 mm |
| He-3 VTI | |
| Temperature range | 0.3 K – 300 K |
| Sample mounting area | 5 mm x 5 mm |
| No. of contact pins | 12 (fixed holder), 20 (rotating platform) |
| Maximum operating time at 300 mK | 24 hours |
| VSM an AC susceptibility | |
| Sample temperature range | 1.6 – 300 K |
| Range of the z-axis translation stage | 100 mm |
| Vibration amplitude (typical) | 2 mm |
| Vibration frequency (typical) | 20Hz |
| Noise base (10 sec averaging) | 10-5 emu |
| Accuracy and reproducibility | 0.5% |
| Dynamic range (standard) | 108 |
| Noise level | 5 x 10-6 emu/√Hz +B x 1 x 10-6 emu / T /√H |
| Max. allowed sample size | 4×10 mm2 |
| AC susceptibility frequency range | 1-10000 Hz |
| AC sensitivity at 1kHz | 10-6 emu at 4K |
Physical Properties Measurement System Quantum Design PPMS-9
| Base functionality | |
| Temperature | 1.85 – 400 K |
| Magnetic field | up to 9 T |
| Standard measurement options | |
| AC / DC charge transport | |
| Dynamic magnetic susceptibility | |
| Magnetic moment | Vibrating Sample Magnetometer (VSM) |
| Heat capacity | Relaxation calorimeter |
| Thermal conductivity and thermoelectricity | |
| Advanced features | |
| Sample rotation | |
| He-3 cryosystem | down to 0.35 K |
BlueFors LD250
Установка предназначена для измерения параметров элементов наноэлектроники, ячеек квантовой логики, наномеханики, нанофотоники и квантовой метрологии при сверхнизких температурах. Установка включает в себя измерительный комплекс СВЧ аппаратуры фирмы Agilent и безгелиевый криостат растворения с импульсной трубой модель LD250 фирмы BlueFors для получения сверхнизких температур.
Low-temperature Scanning Tunneling Tunneling Microscop
…
Quantum Design MPMS-XL7
…
| AC Susceptibility | |
| Temperature Range | from 1.9 to 350 K |
| Sensitivity | 2 x 10-8 emu |
| Amplitude | 2 mOe ¸ 15 Oe |
| Frequency Range | 10 Hz ¸ 10 kHz |
| DC Magnetization sensitivity | 2.5 x 10-5 emu |
| Vibrating Sample Magnetometer(VSM) | |
| Temperature range | 1.9 – 400 K and 300 to 1000 K (with Oven) |
| Precision | 0.5 K |
| Magnetic field | up to 9 Tesla (Field uniformity 9 T: ±0.01 % over 3 cm on axis) |
| Field Resolution | 0.016 mT (0.16 G) |
| Oscillation frequency | 40 Hz |
| Oscillation amplitude | 2 mm peak – Range of 0.5 mm¸ 5mm |
| Sample Mass | < 1 gram |
| RMS sensitivity | < 10-6 emu and < 10-5 emu (with oven) |
| Heat Capacity | |
| Temperature range | 1.9 – 400 K |
| Sample size | 500 mg |
| Resolution | 10 nJ/K at 2 K |
| Thermal Transport | |
| AC Resistivity | Measured by using precision current source and phase-sensitive voltage detection (AC Transport) |
| Thermal Conductivity | Measured by applying heat from the heater shoe in order to create a user-specified temperature differential between the two thermometer shoes |
| Seebeck Coefficient | Measured by creating a specified temperature drop between the two thermometer shoes – just as it does to measure thermal conductivity |
| Electro Transport | Measures AC resistivity; Hall effect; I-V curve |
ИК фурье-спектрометр IFS 125HR
| Spectral range | 11000 – 8 cm-1 | 0.9 – 1250 mm |
| Resolution | Better than 0.0063 cm-1 |
| Resolving power | Better than 106 |
| Wavenumber accuracy | Better than 5∙10-7 x wavenumber (absolute) | 1∙10-7 (relative) |
| Photometric accuracy | 0.1% T |
| Aperture | f/6.5 |
| Scanner speeds | 0.16-2.5 cm/s |
Спектральный эллипсометр J.A. Woollam VASE
Determination of the optical properties of bulk and film samples of metals, dielectrics and semiconductors in the wavelength range 193-2500 nm (complex refractive index, dielectric constant, film thickness of materials with known optical constants) at temperatures 4.2-500K.
| Spectral range | 193 – 2500 nm |
| Spectral resolution | 0.3 Å |
| Data acquisition rate | 1 – 3 s per wavelength |
| Accuracy of the fully-automated goniometric platform that provides the independent movement of the sample and detector | 0.01° |
| Angle range of the fully-automated goniometer | 15° – 90° (reflection) | 0° – 90° (transmission) |
| Accuracy of the build-in four quadrant detector that provides an accurate setting of the sample angle | up to 0.001° |
| Measurement accuracy Y | 45° ± 0.03° |
| Measurement accuracy D | 0° ± 0.02° |
| Reproducibility for the sample 30 nm SiO2/Si | Y = ± 0.015° | D= ± 0.08° |
| Minimum dimensions of the samples studied | down to 2 mm |
| Accuracy of the refractive index determination of the bulk sample | 0.005 @ 1 mm |
| Accuracy of determination of the absorption coefficient | @ 1 mm |
| Absorbing sample | 0.005 |
| Transparent sample | 0.05 |
| Temperature adjustment range of the sample | 4.2 – 500K |
| Accuracy of the temperature setting | ± 0.1K |
Tensor 27
Measurement of transmission and reflection spectra in the mid-IR range (7500-370 cm-1, 1.3-27 µm)
| Spectral range | 7500 – 370 cm-1 |
| Spectral resolution | 0.5 cm-1 (with apodization) |
| Wavenumber accuracy | 0.01 @ 2000 cm-1 |
| Photometric accuracy | 0.1% T |
Две линейки сдвоенных перчаточных боксов
Две линейки сдвоенных перчаточных боксов с высокочистой аргоновой атмосферой с аналитическими весами, ручным прессом и цифровым микроскопом для разбора и монтажа образцов.
Предназначены для работы с чувствительными материалами (щелочные ищелочноземельные, редкоземельные металлы) в высокочистой среде инертного газа без доступа кислорода и воды.
Рабочая среда – аргон.
Содержание кислорода и паров воды в рабочей среде – менее 0,1ppm.
Размер малого шлюза для вноса образцов и инструментов – внутренний диаметр 145 мм, длина 355 мм.
Размер большого шлюза для вноса дополнительного оборудования – внутренний диаметр 370 мм, длина 745 мм.
Максимальное усилие прессования – 7 т.
Максимальное увеличение микроскопа – х115.
Вакуумируемый перчаточный бокс с азотной атмосферой
Позволяет работать с дополнительным оборудованием и вскрывать ампулы в бескислородной среде.
Рабочая среда – азот.
Содержание кислорода и паров воды в рабочей среде – менее 1ppm.
Размер шлюза для вноса образцов и инструментов – внутренний диаметр
345 мм, длина 460 мм.
Установка аргонодуговой плавки Edmund Buhler MAM-1.
Для работы с чувствительными к кислороду образцами и их сплавления в атмосфере инертного газа.
– Плавильная камера и подвижный электрод внутри камеры
– Предназначен для плавления образцов весом около до 20 г при температуре до 3500°C,
– Рабочие газы – аргон, аргоноводородная смесь (5%), гелий.
Вибрационная криомельница Retsch Cryomill
Мельница CryoMill – это лабораторная шаровая мельница, специально разработанная для криогенного измельчения. Размольный стакан непрерывно охлаждается жидким азотом при помощи встроенной системы охлаждения как до, так и во время измельчения. Благодаря этому образец охрупчивается и летучие компоненты сохраняются. Система автоматического заполнения непрерывно подает жидкий азот в объёме, необходимом для поддержания температуры -196 °C.
| Исходный размер частиц | <= 8 мм |
| Конечная тонкость | ~ 5 мкм |
| Размер загрузки / полезный объем | макс. 20 мл |
| Количество размольных мест | 1 |
| Частота колебаний | 5 – 30 Гц (300 – 1800 об/мин) |
| Сухое измельчение | Да |
| Мокрое измельчение | Да |
| Криогенное измельчение | Да |
| Материал размольной гарнитуры | нержавеющая сталь |
| Объем размольного стакана | 5 мл, 35 мл, 50 мл |
Планетарная мельница Fritsch Pulverisette 7 Premium Line
Планетарная мельница PULVERISETTE 7 premium line с 2 размольными местами может применяться универсально и идеально подходит для тонкого измельчения без потерь до конечной степени измельчения 100 нм твердых, среднетвердых и хрупких материалов. Измельчение может производиться в зависимости от желаемой конечной степени измельчения в сухой среде, в суспензии или в атмосфере защитного газа. Помимо измельчения, можно использовать мельницу также для смешивания и гомогенизации эмульсий и паст или для механического активирования и легирования в области исследования материалов.
| Максимальная крупность исходного материала | 5 мм |
| Средняя тонкость помола | до d50 < 0,1 мкм |
| Количество размольных стаканов | 2 шт |
| Соотношение частот планетарного движения и вращения стакана вокруг собственной оси | 1:-2 |
| Частота вращения планетарного диска | 150 – 1100 об/мин |
| Максимальное ускорение | 928 м/с2 (94,6 g) |
| Реверсивный привод | Да |
| Объем размольного стакана | 20, 45, 80 мл |
| Материал размольной гарнитуры | Карбид вольфрама, оксид циркония |
Планетарная мельница Powteq BM6 Pro
BM6 Pro – это инновационная планетарная мельница, работающая с одним размольным стаканом объемом 50, 80, 125, 250 или 500 мл. В отличии от планетарных мельниц с несколькими размольными стаканами BM6 Pro является более экономичным вариантом лабораторного оборудования для ультратонкого измельчения и в то же время частота вращения планетарного диска этой мельницы превосходит аналогичный показатель большинства других моделей, что позволяет дополнительно повысить интенсивность измельчения и сократить время обработки каждой партии материала. Современная система управления с графическим сенсорным дисплеем делает работу с мельницей особенно комфортной.
| Максимальная крупность исходного материала | 10 мм |
| Достижимая средняя тонкость помола | до d50 < 1 мкм |
| Средняя тонкость сухого помола | до d50 < 20 мкм |
| Тонкость мокрого (коллоидного) помола | до d50 < 0,1 мкм |
| Количество размольных стаканов | 1 шт |
| Соотношение частот планетарного движения и вращения стакана вокруг собственной оси | 1:-2 |
| Частота вращения планетарного диска | 100 – 650 об/мин |
| Максимальное ускорение | 602 м/с2 (61,4 g) |
| Реверсивный привод | Да |
| Объем размольного стакана | 250 мл |
| Материал размольной гарнитуры | Stainless steel |
печи
Различные печи для синтеза и роста кристаллов, в том числе трубчатая печь до 1700°С, трубчатая печь на поворотном штативе, муфельные печи до 1250°С с возможностью работы в различных газах и вакууме.
| Tmax, °C | Среда | |
| Поворотная трубчатая печь | 1350 | Вакуум, Аргон, Азот, Воздух, Ar+H2(5%), Кислород |
| Высокотемпературная трубчатая печь | 1750 | Вакуум, Аргон, Азот, (до 1300°C), Воздух (до 1300°C), Ar+H2(5%), Кислород (до 1500°C) |
| Муфельные печи | 1250 | Воздух, продувка (Аргон, Азот) |
Высокотемпературная центрифуга ЦЛУ 6-3 для декантирования расплава
Центрифуга предназначена для высокотемпературной декантации растворителя под действием центробежного поля ротора после роста кристаллов в раствор-расплаве.
| Максимальная частота вращения | 3500 об/мин |
| Максимальный объем разделяемого вещества | 3000 мл |
| Максимальное ускорение | 2780 м/с2 (283 g) |
| Диапазон индикации температуры в камере центрифуги | от 0 до 150°C |
| Максимальная длина ампулы | 130 мм |
Оптическая печь зонной плавки до 2200°С для бестигельного роста монокристаллов
Crystal Systems FZ-T-4000-H – это оптическая печь зонной плавки с четырьмя эллиптическими зеркалами. Равномерное распределение температуры в горизонтальной плоскости благодаря четырем зеркалам позволяет выращивать высококачественные монокристаллы.
| Максимальный диаметр образца | 50 мм |
| Максимальная длина образца | 150 мм |
| Тип ламп | Галогеновые |
| Число ламп | 4 |
| Вакуум | До 5*10-5 мм рт. ст. |
| Давление | До 10 атм |
| Максимальная температура | 2150 °С |
| Мощность ламп | 300, 500 и 1000 Вт |
| Длина расплавленной зоны | До 50 мм |
| Скорость роста | 0,05-27 мм/ч |
| Скорость медленного движения расплавленной зоны | 0,05-27 мм/ч |
| Скорость быстрого движения расплавленной зоны | 6-60 мм/мин |
| Скорость вращения держателя | 5-55 мин-1 |
| Наблюдение | Камера и дисплей |
| Рабочая среда роста | Аргон, Азот, Кислород |
| Колебания мощности | <0,2% |
PLD/MBE laser sputtering machine model PVD-2300
The PLD/MBE 2300 machine is designed to grow epitaxial films, monolayer film structures, and/or combinatorial thin films and can be easily integrated with a wide range of other sputtering techniques such as magnetron sputtering, effusion cells, ozone generators, and atomic or ion sources. These unique systems allow the user to utilize multiple deposition techniques in a small area to grow unique film structures. The machine produces films of various materials by vacuum atomizing a target of desired composition focused excimer laser radiation (laser ablation method).
| Substrate sizes | 5×10 mm, 10×10 mm, and 2-inch |
| Substrate sizes | 950°C (in oxygen) for Si, 850°C for transparent substrates (sapphire) in non-contact mode |
| Substrate sizes | ± 8°C on a 2-inch diameter substrate |
| Operating pressure range | from 5×10-9 Torr to 400 mTorr |
| Number and size of targets | Six 2-inch targets |
| Number and size of targets | From 50 mm to 100 mm |
| Number and size of targets | 60o |
| Laser | Eximer (KrF) with 248 nm |
| Pulse frequency | 50 Hz |
| Pulse frequency | oil-free (turbo pump and volute pump) |
| Residual pressure limit in the chamber max. | 5·10-7 Torr |
| Residual pressure limit in the chamber max. | optical pyrometer |
PLD/MBE laser sputtering machine model PVD-2300
The PLD/MBE 2300 machine is designed to grow epitaxial films, monolayer film structures, and/or combinatorial thin films and can be easily integrated with a wide range of other sputtering techniques such as magnetron sputtering, effusion cells, ozone generators, and atomic or ion sources. These unique systems allow the user to utilize multiple deposition techniques in a small area to grow unique film structures. The machine produces films of various materials by vacuum atomizing a target of desired composition focused excimer laser radiation (laser ablation method).
The PLD/MBE 2300 machine is designed to grow epitaxial films, monolayer film structures, and/or combinatorial thin films and can be easily integrated with a wide range of other sputtering techniques such as magnetron sputtering, effusion cells, ozone generators, and atomic or ion sources. These unique systems allow the user to utilize multiple deposition techniques in a small area to grow unique film structures. The machine produces films of various materials by vacuum atomizing a target of desired composition focused excimer laser radiation (laser ablation method).
Helios NanoLab 660 FEI
Растровый электронно-ионный микроскоп Helios NanoLab 660 предназначен для измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов и проведения локальной структурной модификации поверхности твердотельных объектов ионным пучком.