Установка лазерного напыления

Полное наименование установки:
Установка лазерного напыления PLD/MBE модель PVD-2300

Назначение:
Установка PLD/MBE 2300 предназначена для выращивания эпитаксиальных пленок, монослойных пленочных структур, и/или комбинаторных тонких пленок и может быть легко интегрирована с широким спектром других методов напыления, таких как магнетронное распыление, эффузионные ячейки, генераторы озона, и атомные или ионные источники. Эти уникальные системы позволяют пользователю использовать для роста уникальных пленочных структур несколько методов осаждения на небольшой площади.
Установка позволяет получать пленки различных материалов посредством вакуумного распыления мишени требуемого состава сфокусированным излучением эксимерного лазера (метод лазерной абляции).

Характеристики:
Вакуумная камера установки имеет диаметр 18 дюймов и высоту 16 дюймов и оснащена электрическим подъемником для обеспечения легкого доступа к внутренним частям камеры. На камере расположены несколько фланцев для просмотра мишени, подложки и абляционного факела, а также система дифракции быстрых электронов (HP RHEED) и волоконно-оптический пирометр.

Максимальный размер подложки2 дюйма
Максимальная температура подложки950°C (в кислороде) для Si, 850°C для прозрачных подложек (сапфир) в бесконтактном режиме
Температурная однородность± 8 ° C на подложке диаметром 2 дюйма
Диапазон рабочего давленияот 5×10-9 Торр до 500 мТорр
Количество и размер мишенейШесть (6) двухдюймовых
Расстояние мишень подложкаот 50 мм до 100 мм
Номинальный угол падения лазерного луча на цель60o
Лазерэксимерный (KrF) с длиной волны 248 нм
Частота импульсов100 Гц
Откачка камерыбезмасляная (турбонасос и спиральный насос)
Предельное остаточное давление в камере не более5·10-7Торр
Измерение температуры подложкисветоводным оптическим пирометром

Дополнительная информация
Существует возможность растровой развертки лазерного пятна по поверхности мишени, что обеспечивает высокую однородность пленки и более полное использование материалов.

Основные направления исследований, проводимых с использованием установки:
Напыление пленок и гетероструктур на основе сверхпроводников, топологических изоляторов и других квантовых материалов. Выращивание тонких ВТСП пленок и различных структур на их основе.

Ответственное лицо: Красносвободцев Сергей Иванович +7(499)132-6231; krasnosvobodcevsi@lebedev.ru