Выполнение экспериментальных исследований и теоретических расчетов на комплексе оборудования ЦКП, включающего:
- Оборудование для получения низких и сверхнизких температур;
- Оборудование для получения сильных магнитных полей;
- Оборудование для воздействия на изучаемые материалы с помощью высокого гидростатического давления;
- Оборудование для воздействия на изучаемые материалы с помощью сильных электрических полей (“электрическое легирование”);
- Оборудование для проведения транспортных и магнитных измерений в экстремальных условиях сильных электрических и магнитных полей, низких температур и высоких давлений;
- Оборудование для оптических и СВЧ исследований в условиях низких температур, сильных электрических и магнитных полей и высоких давлений;
- Высокопроизводительные вычислительные комплексы и пакеты программ для численных расчетов электронных, фононных спектров и др. физических свойств материалов.
- Измерение двух компонент тензора сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 1,5-300К в магнитном поле до 16Т с помощью измерительной установки «16Т»
- Измерения двух компонент тензора сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в магнитном поле в диапазоне температур 0,3-300К в магнитном поле до 21Т с помощью измерительной установки «0,3К/21Т»
- Измерения магнитной восприимчивости немагнитных образцов в диапазоне температур 1,5 — 300К и полейдо 21Т с помощью измерительной установки «0,3К/21Т»
- Измерения транспортных характеристик (сопротивление, магнитосопротивление, холловское сопротивление) металлических и полупроводниковых структур в диапазонетемператур 0,35 -400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса дляизмерения физических свойств «PPMS-9»
- Измерение анизотропии магнитосопротивления (с минимальным шагом по углу 3’) металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазонетемператур 0,3-300К в магнитном поле до 16Тс помощью измерительной установки «16Т»
- Измерения теплопроводности металлических и полупроводниковых структур в диапазоне температур 1,8-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса дляизмерения физических свойств «PPMS-9»
- Измерения полевой и температурной зависимостей магнитного момента материалов в диапазоне температур 2 – 500К и магнитных полей до 7Тлс помощью автоматизированного СКВИД-магнитометра«MPMS-XL-7» с порогом чувствительности10-8 emu
- Измерения полевой и температурной зависимости DC намагниченности и AC восприимчивости немагнитных материалов в диапазоне температур 2 – 300К и магнитных полей до 21Тс помощью установки VSM-21Т
- Измерения полевой и температурной зависимостей AC-магнитной восприимчивости материалов в диапазоне температур 0,35 – 400К и магнитных полей до 9Тлс помощью многофункционального автоматизированного комплекса дляизмерения физических свойств «PPMS-9»
- Тестовые измерения AC-магнитной восприичивости материалов в диапазоне температур 4,2 – 300К в нулевом магнитном поле индуктивным методом
- Измерения теплоемкости материалов и структур в диапазоне температур 0,4-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса дляизмерения физических свойств «PPMS-9»
- Измерение энергетическоих щелей в спектре сверхпроводников методом многократного андреевского отражения при температурах до 1,6-300К (установка BJ)
- Измерения изменений химического потенциала в диапазоне температур 4,2 – 300К
- Измерения параметров решетки, толщины и состава монокристаллических эпитаксиальных квантовых ям с помощью дифрактометра X’PertPROMRD
- Анализ фазового состава образцов на дифрактометре Rigaku Miniflex 600
- Измерения фазового состава поликристаллических образцов на дифрактометре ДРОН-2
- Измерения локального элементного состава поверхности методом EDS с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA
- Измерения катодолюминесценции поверхностиобразцов с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA
- Измерения геометрического профиля поверхности материалов с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA
- Измерения геометрического и потенциального профиля поверхности проводящих материалов методом СТМ и АФМ с помощью зондового микроскопа SolverPro
- Измерение спектров отражения и поглощения материалов в диапазоне длин волн 0,5мкм- 1мм (c разрешением до 0,01см-1)и в диапазоне температур 4,2-300К с помощьюинфракрасного спектрометра сверхвысокого разрешения IFS-125HR
- Измерение температурной и полевой зависимости компонент тензора сопротивления в диапазоне температур 0,01-1К и магнитных полей до 1 Тесла
- Измерение рельефа поверхности с субатомным разрешением и спектра поверхностных состояний в диапазоне температур 0,37 — 77К и магнитных полей до 15Тесла с помощью низкотемпературного сверхвысоковакуумного СТМ Unisoku-1300
- Измерения магнитного момента материалов и структур в диапазоне температур 0,4-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса дляизмерения физических свойств «PPMS-9»
- Измерение критических токов и переходных процессов в ВТСП устройствах и проводах
- Изготовление стандартных образцов тонких эпитаксиальных пленок YBaCuO методом лазерного напыления с фильтрацией скорости частиц
- Изготовление полевых МДП структур на поверхности полупроводниковых и диэлектрических материалов.
- Изготовление ВТСП материалов методом твердофазного синтеза в атмосфере инертного газа
- Рост монокристаллов ВТСП материалов, в частности, на основе FeSe
Методики измерений
| № | Наименование методики | Наименование организации, аттестовавшей методику | Дата аттестации (число, месяц, год) |
| 1. | Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-1,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «1,3К/16Тл» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 13.12.2009 |
| 2. | Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур при сверхнизких температурах в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,03К/13Тл» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 13.12.2009 |
| 3. | Методика измерений полевой и температурной зависимостей магнитного момента материалов с помощью измерительной установки «MPMS-XL-7» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 13.12.2009 |
| 4. | Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Тл» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 13.12.2009 |
| 5. | Методика измерения транспортных характеристик (сопротивление, магнитосопротивление, холловское сопротивление) металлических и полупроводниковых структур при субгелиевых температурах и в магнитных полях до 9 Тесла с помощью автоматизированного измерительного комплекса «PPMS-9» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 13.12.2009 |
| 6. | Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-1,2К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Т» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 15.02.2012 |
| 7. | Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Тл» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 15.02.2012 |
| 8. | Методика измерения в условиях высокого давления (до 3ГПа) сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле до 21Тесла | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 15.02.2012 |
| 9. | Методика выполнения измерений теплопроводности металлических и полупроводниковых структур в диапазоне температур 1,8-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 13.12.2009 |
| 10. | Методика выполнения измерений спектров отражения и пропускания в ИК-диапазоне | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 27.04.2010 |
| 11. | Методика выполнения измерений сверхпроводящих щелей в электронных спектрах сверхпроводниковых материалов методом микроконтактной спектроскопии | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 21.09.2011 |
| 12. | Методика выполнения измерений полевой и температурной зависимостей AC-магнитной восприимчивости материалов в диапазоне температур 0,35 – 400К и магнитных полей до 9Тл с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 13.12.2009 |
| 13. | Методика выполнения измерений при изготовлении стандартных образцов тонких эпитаксиальных пленок YBaCuO методом лазерного напыления с фильтрацией скорости частиц | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 21.09.2011 |
| 14. | Методика измерения состава и толщины монокристаллических эпитаксиальных квантовых ям | ВНИИ Метрологической службы Росстандарта | 09.11.2009 |
| 15. | Методика измерения локального элементного состава поверхности методом EDX с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 15.02.2012 |
| 16. | Методика измерения мощности излучения полупроводниковых лазеров на квантовых точках | ВНИИ Метрологической службы Росстандарта | 10.11.2009 |
| 17. | Экспресс-измерения комплексной магнитной восприимчивости материалов | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 21.09.2011 |
| 18. | Бесконтактные измерения критического тока ВТСП лент | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 15.02.2012 |
Стоимость работ
Себестоимость одного часа работы на оборудовании ЦКП приведена ниже
| № | Наименование единицы оборудования | Стоимость работы на оборудовании, руб. в час | Время выполнения стандартной услуги, час |
| 1 | Рентгеновский дифрактометр X’Pert PRO MRD («PANAlytical) | 3259 | 8 |
| 2 | Установка для напыления тонких металлических и диэлектрических пленок методом магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения | 2454 | 2 |
| 3 | Установка для измерений температурной зависимости химического потенциала в диапазоне температур 4,2-300К | 2238 | 20 |
| 4 | Установка по измерению переходных процессов в ВТСП устройствах и измерению критических токов в длинномерных ВТСП проводах | 1762 | 10 |
| 5 | Установка для измерения параметров элементов наномеханики и квантовой логики при сверхнизких температурах | 3087 | 20 |
| 6 | Установка для выращивания стандартных образцов высокосовершенных монокристаллов методом безтигельной зонной плавки с оптическим нагревом | 5290 | 10 |
| 7 | Сканирующий зондовый микроскоп | 1806 | 48 |
| 8 | Комплекс аппаратуры для измерений транспортных свойств материалов в диапазоне давлений 0-3ГПа | 1849 | 20 |
| 9 | Комплекс аппаратуры для твердофазного синтеза материалов | 3064 | 120 |
| 10 | Электронный растровый микроскоп c приставками для измерения катодолюминесценции и элементного анализа методом EDS | 4165 | 2 |
| 11 | Измерительная установка — автоматизированный СКВИД-магнитометр MPMS-7 | 5451 | 24 |
| 12 | Измерительная установка СКВИД-магнитометр ОО-1 | 5489 | 24 |
| 13 | Инфракрасный Фурье-спектрометр высокого разрешения | 4848 | 40 |
| 14 | Сдвоенные герметичные перчаточные боксы с шлюзами, муфельной печью, шаровой мельницей, аналитическими весами | 2815 | 144 |
| 15 | Комплекс аппаратуры для изготовления полевых МДП структур | 2006 | 100 |
| 16 | Установка для экспресс-измерений AC-магнитной восприичивости материалов в диапазоне температур 4,2 – 300К в нулевом магнитном поле индуктивным методом | 2220 | 10 |
| 17 | Многофункциональный автоматизированный комплекс для измерения физических свойств | 6357 | 48 |
| 18 | Измерительная установка «0.3K/16Тл» для измерения магнитотранспорта и его анизотропии в магнитном поле | 3896 | 48 |
| 19 | Измерительная установка «0.03К/13Тл» — для гальваномагнитных и термомагнитных измерений | 8954 | 72 |
| 20 | Измерительная установка «0.3К/21Тл» для измерений проводимости, магнитосопротивления и магнитной восприимчивости в магнитном поле 21Тл при температурах 0,3-300К. | 11491 | 72 |
| 21 | Установка для подготовки образцов к измерениям методом ультразвуковой микросварки | 949 | 2 |
| 22 | Установка — вибрационный магнитометр для измерений намагниченности в полях до 21Тесла и в диапазоне температур 1,4 — 300К | 9384 | 96 |
| 23 | Установка импульсного лазерного напыления ВТСП ВУ-500 гетероструктур с модулем скоростной фильтрации | 4103 | 5 |
| 24 | Установка для напыления пленок PLD/MBE модель PVD-2300 (PVD) | 5247 | 48 |
| 25 | Установка совмещения и экспонирования лазерная, включая генератор изображения лазерный Heidelberg mPG101, с антивибрационным гранитным столом; блоками нанесения и сушки фоторезиста | 4600 | 5 |
| 26 | Установка Helios NanoLab 660 для нанолитографии | 7259 | 24 |
| 27 | Комплект оборудования для твердофазного синтеза, включая: планетарную мельницу; прибор для обработки металлов в атмосфере аргона; пилу алмазную настольную | 4917 | 40 |
| 28 | Установка для рентгеноструктурного анализа Rigaku Miniflex 600 | 3094 | 3 |
| 29 | Многофункциональная измерительная криомагнитная установка CFMS-16 | 7728 | 16 |
| 30 | Система измерения магнитных свойств на переменном токе на основе моста с перестраиваемой частотой АН 2700С | 3623 | 5 |
| 31 | Металлизация электронным лучом (установка Plassys MEB400) | 3450 | 5 |
| 32 | Работы с использованием чистых вытяжных шкафов, оптических микроскопов и другого оборудования ЧПП | 1852 | 5 |
| 33 | Установка для проверки вакуумной плотности высоковакуумных устройств | 695 | 2 |
Загрузка оборудования ЦКП
Текущая загрузка оборудования представлена в файле.
Регламент предоставления услуг коллективного пользования научным оборудованием Центра коллективного пользования ФИАН
1. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
Настоящий Регламент регулирует порядок предоставления услуг коллективного пользования научным оборудованием Центра коллективного пользования ФИАН (далее Центр) государственным научным организациям и государственным образовательным учреждениям высшего профессионального образования, выполняющим исследования в рамках научных задач, определенных Приоритетными направлениями развития науки, технологий и техники Российской Федерации и Перечнем критических технологий Российской Федерации, и другим организациям (далее именуются – пользователи).
2. ПОРЯДОК ЗАКЛЮЧЕНИЯ ДОГОВОРОВ ОБ ОКАЗАНИИ УСЛУГ ЦЕНТРА
2.1 Договоры на оказание услуг коллективного пользования научным оборудованием Центра заключаются в соответствии с порядком заключения договоров, установленным в ФИАН. Формы договоров опубликованы на сайте.
2.2 Тарифы на услуги коллективного пользования научным оборудованием Центра устанавливаются ежегодно и утверждаются руководителем Центра. Текущие тарифы приведены выше в разделе Стоимость работ .
3. ВЫПОЛНЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ И ИССЛЕДОВАНИЙ НА НАУЧНОМ ОБОРУДОВАНИИ ЦЕНТРА
3.1 Выполнение измерений и исследований на научном оборудовании Центра выполняется, как правило, силами исследовательского персонала Центра, в том числе и в интересах пользователей. Непосредственная работа и обслуживание оборудования коллективного доступа осуществляется специально подготовленным персоналом. В случае необходимости самостоятельной работы на приборах Центра, пользователь должен аргументировать эту необходимость письменно и в случае положительного решения руководителя Центра пройти соответствующее обучение и сдать зачет на право самостоятельной работы ответственному за прибор сотруднику Центра.
3.2 Для проведения исследований и измерений на оборудовании Центра пользователь должен подать в Центр заявку на использование конкретного оборудования Центра в произвольной форме, в которой должны быть указаны специфические условия планируемых исследований, научная тематика соответствующей работы и ее руководитель.
3.3 Для эффективного использования оборудования Центра пользователь должен заранее согласовать план работы, учитывая реальную загрузку необходимого оборудования Центра. Пользователь должен иметь представление о физических основах и принципиальных возможностях используемого метода исследования. При затруднении в квалифицированной интерпретации полученных данных, необходимо обсуждение соответствующей работы со специалистами Центра. В любом случае до публикации полученных результатов исследований и измерений рекомендуется их обсуждение со специалистами Центра.
3.4 При публикации результатов, полученных при использовании оборудования Центра, пользователь обязан правильно указать название и характеристики примененного оборудования Центра, условия исследований и измерений, а также отразить участие в работе персонала Центра.
4. ОТВЕТСТВЕННОСТЬ ЦЕНТРА И ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ
4.1 Центр несет ответственность за соответствие научного оборудования, предоставляемого для коллективного пользования, требованиям нормативно-технической документации и условиям проводимых исследований и измерений.
4.2 Пользователь несет ответственность за достоверность и полноту представляемых сведений о планируемых исследованиях, а также за соблюдение правил и норм проведения исследований и измерений, установленных в Центре.
4.3 Ответственность Центра и пользователя по конкретной работе оговаривается в условиях договора, заключаемого в соответствии с п. 2 Регламента.
Перечень организаций-ползователей
- Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН
- «Институт физики твердого тела РАН (лаб. Сверхпроводимости)»
- Физико-технический институт им. А.Б. Иоффе РАН
- Институт металлургии им. Байкова РАН
- Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН
- Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова РАН
- Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН
- РНЦ «Курчатовский институт»
- Химический факультет МГУ
- Физический факультет МГУ
- Московский педагогический ГУ
- НИЯУ МГУ
- Оренбургский госуниверситет
- НИЯУ МИФИ
- ГТУ «Московский институт стали и сплавов»
- ООО «НТО Приборсервис»
- ЗАО “РТИ Криомагнитные системы”
- Казанский физико-технический институт
- Институт физики металлов УрО РАН
- ООО «Скантел»
- Институт радиотехники и электроникик РАН
- ЗАО «Криомагнит»
- АНО ЦФИ им. П.Н.Лебедева
- Институт теоретической физики им. Л.Д.Ландау РАН
- Институт физики твердого тела РАН (лаб. Электронной кинетики)
- Московский институт электронной техники
- Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
- Московский физико-технический институт
- Иркутский государственный технический госуни-верситет
- Институт физической химии и электрохимии имени А. Н. Фрумкина РАН
- Институт ядерных исследований РАН
- Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов
- Научный центр волоконной оптики при ИОФ РАН
- Физико-технологический институт РАН
- Рузаевский институт машиностроения Мордовского ГУ им. Огарева
- Ивановский государственный университет
- «Научно-исследовательский институт физической и органической химии при
- Ростовском университете»
- Лаборатория теоретического моделирования отдела физики планет ИКИ РАН
- Пермский государственный университет
- Уральский госуниверситет им. А.М.Горького
- ОАО «Энергетический институт им. Г.М. Кржижановского»
- Институт физики Микроструктур РАН