Услуги

Выполнение экспериментальных исследований и теоретических расчетов на комплексе оборудования ЦКП, включающего:

  • Оборудование для получения низких и сверхнизких температур;
  • Оборудование для получения сильных магнитных полей;
  • Оборудование для воздействия на изучаемые материалы с помощью высокого гидростатического давления;
  • Оборудование для воздействия на изучаемые материалы с помощью сильных электрических полей (“электрическое легирование”);
  • Оборудование для проведения транспортных и магнитных измерений в экстремальных условиях сильных электрических и магнитных полей, низких температур и высоких давлений;
  • Оборудование для оптических и СВЧ исследований в условиях низких температур, сильных электрических и магнитных полей и высоких давлений;
  • Высокопроизводительные вычислительные комплексы и пакеты программ для численных расчетов электронных, фононных спектров и др. физических свойств материалов.
  1. Измерение двух компонент тензора сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 1,5-300К в магнитном поле до 16Т с помощью измерительной установки «16Т»
  2. Измерения двух компонент тензора сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в магнитном поле в диапазоне температур 0,3-300К в магнитном поле до 21Т с помощью измерительной установки «0,3К/21Т» 
  3. Измерения магнитной восприимчивости немагнитных образцов в диапазоне температур 1,5 — 300К и полейдо 21Т с помощью измерительной установки «0,3К/21Т»
  4. Измерения транспортных характеристик (сопротивление, магнитосопротивление, холловское сопротивление) металлических и полупроводниковых структур в диапазонетемператур 0,35 -400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса дляизмерения физических свойств «PPMS-9»
  5. Измерение анизотропии магнитосопротивления (с минимальным шагом по углу 3’) металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазонетемператур 0,3-300К в магнитном поле до 16Тс помощью измерительной установки «16Т»
  6. Измерения теплопроводности металлических и полупроводниковых структур в диапазоне температур 1,8-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса дляизмерения физических свойств «PPMS-9»
  7. Измерения полевой и температурной зависимостей магнитного момента материалов в диапазоне температур 2 – 500К и магнитных полей до 7Тлс помощью автоматизированного СКВИД-магнитометра«MPMS-XL-7» с порогом чувствительности10-8 emu
  8. Измерения полевой и температурной зависимости DC намагниченности и AC восприимчивости немагнитных материалов в диапазоне температур 2 – 300К и магнитных полей до 21Тс помощью установки VSM-21Т
  9. Измерения полевой и температурной зависимостей AC-магнитной восприимчивости материалов в диапазоне температур 0,35 – 400К и магнитных полей до 9Тлс помощью многофункционального автоматизированного комплекса дляизмерения физических свойств «PPMS-9» 
  10. Тестовые измерения AC-магнитной восприичивости материалов в диапазоне температур 4,2 – 300К в нулевом магнитном поле индуктивным методом
  11. Измерения теплоемкости материалов и структур в диапазоне температур 0,4-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса дляизмерения физических свойств «PPMS-9»
  12. Измерение энергетическоих щелей в спектре сверхпроводников методом многократного андреевского отражения при температурах до 1,6-300К (установка BJ)
  13. Измерения изменений химического потенциала в диапазоне температур 4,2 – 300К
  14. Измерения параметров решетки, толщины и состава монокристаллических эпитаксиальных квантовых ям с помощью дифрактометра X’PertPROMRD
  15. Анализ фазового состава образцов на дифрактометре Rigaku Miniflex 600
  16. Измерения фазового состава поликристаллических образцов на дифрактометре ДРОН-2
  17. Измерения локального элементного состава поверхности методом EDS с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA
  18. Измерения катодолюминесценции поверхностиобразцов с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA
  19. Измерения геометрического профиля поверхности материалов с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA
  20. Измерения геометрического и потенциального профиля поверхности проводящих материалов методом СТМ и АФМ с помощью зондового микроскопа SolverPro
  21. Измерение спектров отражения и поглощения материалов в диапазоне длин волн 0,5мкм- 1мм (c разрешением до 0,01см-1)и в диапазоне температур 4,2-300К с помощьюинфракрасного спектрометра сверхвысокого разрешения IFS-125HR
  22. Измерение температурной и полевой зависимости компонент тензора сопротивления в диапазоне температур 0,01-1К и магнитных полей до 1 Тесла
  23. Измерение рельефа поверхности с субатомным разрешением и спектра поверхностных состояний в диапазоне температур 0,37 — 77К и магнитных полей до 15Тесла с помощью низкотемпературного сверхвысоковакуумного СТМ Unisoku-1300
  24. Измерения магнитного момента материалов и структур в диапазоне температур 0,4-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса дляизмерения физических свойств «PPMS-9»
  25. Измерение критических токов и переходных процессов в ВТСП устройствах и проводах
  26. Изготовление стандартных образцов тонких эпитаксиальных пленок YBaCuO методом лазерного напыления с фильтрацией скорости частиц
  27. Изготовление полевых МДП структур на поверхности полупроводниковых и диэлектрических материалов. 
  28. Изготовление ВТСП материалов методом твердофазного синтеза в атмосфере инертного газа
  29. Рост монокристаллов ВТСП материалов, в частности, на основе FeSe

Методики измерений

Наименование методикиНаименование организации, аттестовавшей методикуДата аттестации (число, месяц, год)
1.Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-1,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «1,3К/16Тл»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)13.12.2009
2.Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур при сверхнизких температурах в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,03К/13Тл»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)13.12.2009
3.Методика измерений полевой и температурной зависимостей магнитного момента материалов с помощью измерительной установки «MPMS-XL-7»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)13.12.2009
4.Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Тл»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)13.12.2009
5.Методика измерения транспортных характеристик (сопротивление, магнитосопротивление, холловское сопротивление) металлических и полупроводниковых структур при субгелиевых температурах и в магнитных полях до 9 Тесла с помощью автоматизированного измерительного комплекса «PPMS-9»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)13.12.2009
6.Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-1,2К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Т»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)15.02.2012
7.Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Тл»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)15.02.2012
8.Методика измерения в условиях высокого давления (до 3ГПа) сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле до 21ТеслаФИАН (ГОСТ Р 8.563.)15.02.2012
9.Методика выполнения измерений теплопроводности металлических и полупроводниковых структур в диапазоне температур 1,8-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)13.12.2009
10.Методика выполнения измерений спектров отражения и пропускания в ИК-диапазонеФИАН (ГОСТ Р 8.563.)27.04.2010
11.Методика выполнения измерений сверхпроводящих щелей в электронных спектрах сверхпроводниковых материалов методом микроконтактной спектроскопииФИАН (ГОСТ Р 8.563.)21.09.2011
12.Методика выполнения измерений полевой и температурной зависимостей AC-магнитной восприимчивости материалов в диапазоне температур 0,35 – 400К и магнитных полей до 9Тл с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)13.12.2009
13.Методика выполнения измерений при изготовлении стандартных образцов тонких эпитаксиальных пленок YBaCuO методом лазерного напыления с фильтрацией скорости частицФИАН (ГОСТ Р 8.563.)21.09.2011
14.Методика измерения состава и толщины монокристаллических эпитаксиальных квантовых ямВНИИ Метрологической службы Росстандарта09.11.2009
15.Методика измерения локального элементного состава поверхности методом EDX с помощью электронного микроскопа JSM-7001FAФИАН (ГОСТ Р 8.563.)15.02.2012
16.Методика измерения мощности излучения полупроводниковых лазеров на квантовых точкахВНИИ Метрологической службы Росстандарта10.11.2009
17.Экспресс-измерения комплексной магнитной восприимчивости материаловФИАН (ГОСТ Р 8.563.)21.09.2011
18.Бесконтактные измерения критического тока ВТСП лентФИАН (ГОСТ Р 8.563.)15.02.2012

Стоимость работ

Себестоимость одного часа работы на оборудовании ЦКП приведена ниже 

Наименование единицы оборудованияСтоимость работы на оборудовании, руб. в час
1Рентгеновский дифрактометр X’Pert PRO MRD («PANAlytical)3259
2Установка для напыления тонких металлических и диэлектрических пленок методом магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения2454
3Установка для измерений температурной зависимости химического потенциала в диапазоне температур 4,2-300К2238
4Установка по измерению переходных процессов в ВТСП устройствах и измерению критических токов в длинномерных ВТСП проводах1762
5Установка для измерения параметров элементов наномеханики и квантовой логики при сверхнизких температурах3087
6Установка для выращивания стандартных образцов высокосовершенных монокристаллов методом безтигельной зонной плавки с оптическим нагревом5290
7Сканирующий зондовый микроскоп1806
8Комплекс аппаратуры  для измерений транспортных свойств  материалов в диапазоне давлений  0-3ГПа1849
9Комплекс аппаратуры  для твердофазного синтеза материалов 3064
10Электронный растровый микроскоп c приставками  для измерения катодолюминесценции и элементного анализа методом EDS4165
11Измерительная установка — автоматизированный СКВИД-магнитометр  MPMS-75451
12Измерительная установка СКВИД-магнитометр ОО-15489
13Инфракрасный Фурье-спектрометр высокого разрешения 4848
14Сдвоенные герметичные перчаточные боксы с шлюзами, муфельной печью, шаровой мельницей, аналитическими весами2815
15Комплекс аппаратуры  для изготовления полевых МДП структур2006
16Установка для экспресс-измерений AC-магнитной восприичивости материалов в диапазоне температур 4,2 – 300К в нулевом магнитном поле индуктивным методом2220
17Многофункциональный автоматизированный комплекс для  измерения физических свойств6357
18Измерительная установка «0.3K/16Тл» для измерения магнитотранспорта и его анизотропии  в магнитном поле 3896
19Измерительная установка  «0.03К/13Тл» — для гальваномагнитных и термомагнитных измерений 8954
20Измерительная установка  «0.3К/21Тл» для измерений проводимости, магнитосопротивления и магнитной восприимчивости в магнитном поле 21Тл при температурах 0,3-300К.11491
21Установка для  подготовки образцов к измерениям  методом  ультразвуковой микросварки949
22Установка — вибрационный магнитометр для измерений намагниченности в полях до 21Тесла и в диапазоне температур 1,4 — 300К9384
23Установка импульсного лазерного напыления ВТСП ВУ-500 гетероструктур с модулем скоростной фильтрации4103
24Установка для напыления пленок PLD/MBE модель PVD-2300 (PVD)5247
25Установка совмещения и экспонирования лазерная, включая генератор изображения лазерный Heidelberg mPG101, с антивибрационным гранитным столом; блоками нанесения и сушки фоторезиста4600
26Установка Helios NanoLab 660 для нанолитографии7259
27Комплект оборудования для твердофазного синтеза, включая: планетарную мельницу; прибор для обработки металлов в атмосфере аргона; пилу алмазную настольную4917
28Установка для рентгеноструктурного анализа Rigaku Miniflex 6003094
29Многофункциональная измерительная криомагнитная установка CFMS-167728
30Система измерения магнитных свойств на переменном токе на основе моста с перестраиваемой частотой АН 2700С3623
31Металлизация электронным лучом (установка Plassys MEB400)3450
32Работы с использованием чистых вытяжных шкафов, оптических микроскопов и другого оборудования ЧПП1852
33Установка для проверки вакуумной плотности высоковакуумных устройств695
Примечание. Стоимость нестандартных услуг расчитывается путём разбиения нестандартной услуги на отдельные стандартные, исходя из их стоимости и времени использования соответствующих установок.

Загрузка оборудования ЦКП

Текущая загрузка оборудования представлена в файле.

Регламент предоставления услуг коллективного пользования научным оборудованием Центра коллективного пользования ФИАН

1. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

Настоящий Регламент регулирует порядок предоставления услуг коллективного пользования научным оборудованием Центра коллективного пользования ФИАН (далее Центр) государственным научным организациям и государственным образовательным учреждениям высшего профессионального образования, выполняющим исследования в рамках научных задач, определенных Приоритетными направлениями развития науки, технологий и техники Российской Федерации и Перечнем критических технологий Российской Федерации, и другим организациям (далее именуются – пользователи).

2. ПОРЯДОК ЗАКЛЮЧЕНИЯ ДОГОВОРОВ ОБ ОКАЗАНИИ УСЛУГ ЦЕНТРА

2.1 Договоры на оказание услуг коллективного пользования научным оборудованием Центра заключаются в соответствии с порядком заключения договоров, установленным в ФИАН. Формы договоров опубликованы на сайте.

2.2 Тарифы на услуги коллективного пользования научным оборудованием Центра устанавливаются ежегодно и утверждаются руководителем Центра. Текущие тарифы приведены выше в разделе Стоимость работ .

3. ВЫПОЛНЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ И ИССЛЕДОВАНИЙ НА НАУЧНОМ ОБОРУДОВАНИИ ЦЕНТРА

3.1 Выполнение измерений и исследований на научном оборудовании Центра выполняется, как правило, силами исследовательского персонала Центра, в том числе и в интересах пользователей. Непосредственная работа и обслуживание оборудования коллективного доступа осуществляется специально подготовленным персоналом. В случае необходимости самостоятельной работы на приборах Центра, пользователь должен аргументировать эту необходимость письменно и в случае положительного решения руководителя Центра пройти соответствующее обучение и сдать зачет на право самостоятельной работы ответственному за прибор сотруднику Центра.

3.2 Для проведения исследований и измерений на оборудовании Центра пользователь должен подать в Центр заявку на использование конкретного оборудования Центра в произвольной форме, в которой должны быть указаны специфические условия планируемых исследований, научная тематика соответствующей работы и ее руководитель.

3.3 Для эффективного использования оборудования Центра пользователь должен заранее согласовать план работы, учитывая реальную загрузку необходимого оборудования Центра. Пользователь должен иметь представление о физических основах и принципиальных возможностях используемого метода исследования. При затруднении в квалифицированной интерпретации полученных данных, необходимо обсуждение соответствующей работы со специалистами Центра. В любом случае до публикации полученных результатов исследований и измерений рекомендуется их обсуждение со специалистами Центра.

3.4 При публикации результатов, полученных при использовании оборудования Центра, пользователь обязан правильно указать название и характеристики примененного оборудования Центра, условия исследований и измерений, а также отразить участие в работе персонала Центра.

4. ОТВЕТСТВЕННОСТЬ ЦЕНТРА И ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ

4.1 Центр несет ответственность за соответствие научного оборудования, предоставляемого для коллективного пользования, требованиям нормативно-технической документации и условиям проводимых исследований и измерений.

4.2 Пользователь несет ответственность за достоверность и полноту представляемых сведений о планируемых исследованиях, а также за соблюдение правил и норм проведения исследований и измерений, установленных в Центре.

4.3 Ответственность Центра и пользователя по конкретной работе оговаривается в условиях договора, заключаемого в соответствии с п. 2 Регламента.

Перечень организаций-ползователей

  • Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН
  • «Институт физики твердого тела РАН (лаб. Сверхпроводимости)»
  • Физико-технический институт  им. А.Б. Иоффе РАН
  • Институт металлургии им. Байкова РАН
  • Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН
  • Институт элементоорганических  соединений им. А.Н. Несмеянова РАН
  • Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН
  • РНЦ «Курчатовский институт»
  • Химический факультет МГУ
  • Физический факультет МГУ
  • Московский педагогический ГУ
  • НИЯУ МГУ
  • Оренбургский госуниверситет
  • НИЯУ МИФИ
  • ГТУ «Московский институт стали и сплавов»
  • ООО «НТО Приборсервис»
  • ЗАО “РТИ Криомагнитные системы”
  • Казанский физико-технический институт
  • Институт физики металлов УрО РАН
  • ООО «Скантел»
  • Институт радиотехники и электроникик РАН
  • ЗАО «Криомагнит»
  • АНО ЦФИ им. П.Н.Лебедева
  • Институт теоретической физики им. Л.Д.Ландау РАН
  • Институт физики твердого тела РАН (лаб. Электронной кинетики)
  • Московский институт электронной техники
  • Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН
  • Московский физико-технический институт
  • Иркутский государственный технический госуни-верситет
  • Институт физической химии и электрохимии имени А. Н. Фрумкина РАН
  • Институт ядерных исследований РАН
  • Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов
  • Научный центр волоконной оптики при ИОФ РАН
  • Физико-технологический институт РАН
  • Рузаевский институт машиностроения Мордовского ГУ им. Огарева
  • Ивановский государственный университет
  • «Научно-исследовательский институт физической и органической химии при
  • Ростовском университете»
  • Лаборатория теоретического моделирования отдела физики планет ИКИ РАН
  • Пермский государственный университет
  • Уральский госуниверситет им. А.М.Горького
  • ОАО «Энергетический институт им. Г.М. Кржижановского»
  • Институт физики Микроструктур РАН