Установка KJ-OTF-1200 CVD

В установку входят: трубчатая печь KJ-T-1200; цифровая станция контроля расхода газа. Назначение:Установка полностью функциональна и активно используется для изготовления различных образцов. Описание установки:Установка KJ-OTF-1200 CVD в составе представляет собой трубчатую печь диаметром отверстия 60 мм с контроллером на температуры до 1200 Читать дальше …

Установка импульсного лазерного напыления ВТСП гетероструктур с модулем скоростной фильтрации

Назначение:Установка предназначена для напыления эпитаксиальных ВТСП пленок и гетероструктур на их основе. Особенности установки: Осаждение в классической осевой геометрии. Исключение микрокапель и твердых частиц из потока лазерной плазмы с помощью скоростной фильтрации. Возможность in situ смены мишеней и послойного осаждения Читать дальше …

Микроскоп-тринокулярный ICM-100BD

Назначение:Для прецизионного совмещения микрообъектов. Характеристики:Подвижный на штативе.Объективы — 5х,10х,20х,50х,100х.Окуляр 10х.Светлое/темное поле.

Установка для изготовления контактных масок для напыления методом электроискровой резки

Описание:Резка масок из металлической фольги производится вольфрамовой иглой. Игла и фольга подключены к выходу высокочастотного генератора и погружены в дистиллированную воду. В месте их соприкосновения возникает искровой разряд, «выжигающий» фольгу. Толщина реза ограничена толщиной вольфрамовой проволоки (50мкм). Стандартный размер фольги Читать дальше …

Кластерная установка плазмохимического травления и осаждения

Назначение:Установка предназначена для удаления остатков фоторезиста, активации поверхности, также позволяет осуществлять процессы сухого травления некоторых веществ, например графена и нанотрубок. Основные направления исследований, проводимых с использованием установки:Литографические процессы.Физика ван-дер-Ваальсовых гетероструктур (работа с тонкими чешуйками). Характеристики: Объем камеры 1 л. Частота Читать дальше …

Установка плазмохимической очистки

Назначение:Для очистки и обработки поверхности наноструктур в кислородной плазме низкой плотности. На фотографии установка плазмохимической очистки стоит на воздухораспределительном шкафу. Рядом с ними стоит блок генерации сверхчистого кислорода (99,999%) Кулон-10К.

Безмасковая оптическая (УФ) литография

Полное название установки:Установка для лазерной литографии mPG101. Характеристики: Длина волны лазерного светодиода 375 нм. Мощность светодиода 70 Вт. Минимальный размер структур 0,9 мкм. (2,5 мкм.), в зависимости от пишущей линзы Точность совмещения не хуже 200 нм. Максимальная площадь засветки 125х125 Читать дальше …

Устройство центрифугирования фоторезиста

Полное название установки:Устройство центрифугирования фоторезиста  Laurell Technologies WS-400A. Назначение:Нанесения тонких пленок. Параметры:скорость вращения до 10000 об/мин,размеры подложек 5-200 мм.

Установки электронно-лучевого напыления

Полное наименование установок: MEB-400 и MEB-550. Назначение:Установки предназначены для напыления тонких металлических пленок, в том числе из разных металлов без разрыва вакуума, методом электронно-лучевого напыления. Дополнительно установка MEB-500 обладает возможностью напыления под разными углами, in-situ окисления в камере, и чистки(травления) Читать дальше …